低温强磁场纳米精度位移台
德国attocube公司是世界上著名的极端环境纳米精度位移器制造商。公司已经为全世界科学家生产了4000多套位移系统，用户遍及全球著名的研究所和大学。它生产的位移器设计紧凑，体积极小，种类包括线性XYZ线性位移器、大角度倾角位移器、360度旋转位移器和扫描器。
德国attocube公司的位移器以稳定而优异的性能，原子级定位精度，纳米位移步长和厘米级位移范围受到科学家的肯定和赞誉。产品广泛应用于普通大气环境和极端环境中，包括超高环境(5E-11mbar)、低温环境（10mK）和强磁场中（31Tesla）。
ANP位移台技术优势
> 当步进到制定位置后，施加在压电陶瓷上的电压变为0V，因此不存在由于外加电信号而产生噪音或飘逸问题；
> 驱动定位器所需要的电压一般较低（60V或150V），因此不需要进行高压屏蔽，很多低压中使用的电缆和接口都可以在这里使用；
> Attocube定位器可以同时作为粗逼近装置和精细扫描头使用，因此极大的提高了设备的稳定性和结构的紧凑性。
ANP位移台基本参数
> 工作温度范围：10mK - 373K
> 工作磁场环境：0 - 31Tesla
> 工作环境：大气 - 5E-11mbar
> 闭环位移控制精度：1nm
> 负载重量：最大可到2Kg
> 最大位移范围：50mm
> 位移器最小尺寸：11X11mm
ANP系列位移台
ANP系列线性位移台技术参数表
ANP系列线性位移器采用闭环（/RES电阻式反馈与/NUM光栅式反馈）或开环控制，
典型单步位移步长为：室温300K下，50nm；低温4K下，10 nm。位移范围最大为：20mm，
位移器尺寸最小为：11mm。负载最大2000g。
ANR系列旋转台
ANR系列旋转台技术参数表：
ANR系列旋转器台用闭环（RES/NUM电阻式/光栅式反馈）或开环控制；
典型步长为：1m°@300 K, 0.5m°@4 K。可360度连续旋转。负载最大200g；
最低工作温度：10mK, 最强磁场环境：31T, 5E-11mBar超高真空使用。
旋转台 |
型号 | 尺寸mm3
(长宽高) | 步长 | 行程 | 载重(g) |
|
ANR31 | 8x8(Ø 10); 7.5
| 1m°@300K,
0.5m°@4K | 360度
（连续旋转） | 5 |
ANR51 | 15x15(? 20);
9.5 | 1m°@300K,
0.5m°@4K | 360度
（连续旋转） | 30 |
ANR51/RES |
ANRv51 | 10x20;
21 | 1m°@300K,
0.5m°@4K | 360度
（连续旋转） | 20 |
ANRv51/RES |
ANR101 | 24x24(?30);
15.2 | 1m°@300K,
0.5m°@4K | 360度
（连续旋转） | 100 |
ANR101/RES |
ANR101/NUM |
ANRv220 | 27x12;
27 | 1m°@300K,
0.5m°@4K | 360度
（连续旋转） | 100 |
ANRv220/RES |
ANR240 | 35x35(?34);
13.5 | 1m°@300K,
0.5m°@4K | 360度
（连续旋转） | 200 |
ANR240/RES |
ANG系列倾角台
ANG系列倾角台技术参数表：
ANG系列倾角台采用闭环（RES/NUM电阻式/光栅式反馈）或开环控制，
典型步长为： 0.1m°@300 K, 20m°@4 K。倾角范围：5-7度。负载最大100g，
最低工作温度：10mK, 最强磁场环境：31T, 5E-11mBar超高真空使用。
倾角台 |
型号 | 尺寸mm3
(长宽高) | 步长 | 行程 | 载重(g) |
|
ANGt50 | 15x15; 10 | 0.1m°@300 K,
20μ°@4 K | 7.2° | 25 |
|
ANGp50 | 15x15; 10 | 0.1m°@300 K,
20μ°@4 K | 5.8° | 25 |
|
ANGt101 | 24x24; 11 | 0.1m°@300 K,
20μ°@4 K | 6.6° | 100 |
ANGt101/RES |
ANGt101/NUM |
ANGp101 | 24x24; 11 | 0.1m°@300 K,
20μ°@4 K | 5.4° | 100 |
ANGp101/RES |
ANGp101/NUM |
ANS系列扫描台
ANS系列扫描台技术参数表：
ANS扫描台具有专利技术，在极低温下实现大范围精细扫描功能，
扫描分辨率: 优于 1 nm。负载最大100g，
最低工作温度：10mK, 最强磁场环境：31T, 5E-11mBar超高真空使用。
扫描台 |
型 号 | 尺寸mm3
(长宽高) | 扫描范围 | 扫描精度 | 载重(g) |
|
ANSxy50 | 15x15; 7 | 30x30m2@300K,
15x15m2@4K | 优于1nm | 50 |
|
ANSz50 | 15x15; 6 | 4.3mm@300K,
2mm@4K | 优于1nm | 50 |
|
ANSxyz50 | 15x15; 13 | 30x30x4.3m3@300K,
15x15x2m3@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSxy100std | 24x24; 10 | 40x40mm2@300K,
9x9mm2@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSxy100lr | 24x24; 10 | 50x50mm2@300K,
30x30mm2@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSz100std | 24x24; 10 | 24mm@300K,
15mm@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSz100lr | 24x24; 10 | 50mm@300K,
30mm@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSz100hs | 24x24; 10 | 4.3mm@300K,
2mm@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSxyz100std | 24x24; 10 | 50x50x24m3@300K,
30x30x15m2@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSxyz100hs | 24x24; 10 | 40x40x24m3@300K,
9x9x2m2@4K | 优于1nm | 100 |
|
ANSx150 | 24x24; 9 | 80mm@300K,
125mm@4K | 优于1nm | 100 |
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